利曼Prodigy直流电弧光谱仪 (DC Arc) 测定高纯硅中的痕量元素
本文检测样品中的铝、硼、钙、铬、铜、铁、锰、镍、磷、钛和钒等，证明TeledyneLeemanLabsProdigy直流电弧光谱仪测定高纯硅中痕量元素的能力。
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Yield Engineering Systems-HMDS VAPOR PRIME 工艺应用说明
我们提供了一个统计设计实验(DOE)的示例，用于优化特定应用的过程参数，并总结了在德克萨斯大学达拉斯分校进行的统计设计实验(DOE)的结果。
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CPS-24000纳米粒度仪助力鼎龙攻克“卡脖子”材料技术难题
CPS-24000型纳米粒度分析仪是新型的纳米粒度分析仪，它采用斯托克斯定律分析方法，V=D²(ρP-ρF)G/18η，即颗粒沉降的速度与颗粒的尺寸平方成正比来进行粒度的测量，因此粒径相差小至1%的颗粒都可以明显分辨出来。适用于极稀到高浓度的样品粒度测定，对团聚体的存在非常敏感。
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- 型号：DC24000UHR
无液氦低温强磁场共聚焦显微镜应用方案
德国attocube公司生产的低温强磁场环境共聚焦显微镜attoCFM系统，成为了在纳米尺度研究量子点、量子器件光学性质的标准设备。
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- 型号：attoCFM
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- 型号：NexION 2000
单颗粒 ICP-MS 测定铁纳米颗粒：利用通用池技术消除质谱干扰
随着纳米颗粒兴趣的增加，各种测试方法正被应用。采用单颗粒模式电感耦合等离子体质谱法（SP-ICP-MS）分析ICP-MassSpectrometry金属纳米颗粒成为有前途的技术之一。
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单颗粒ICP-MS测定化学-机械整平中使用的元素氧化物纳米颗粒悬浮物的特性
本研究概述了定量和表征纳米元素氧化物纳米颗粒（氧化铝和氧化铈），这些常用于纳米电子学和半导体制造行业中化学-机械（CMP）半导体表面的平整。CMP是一个结合了化学和机械外力平滑平面的过程，此步骤为光刻作准备。
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紫外-可见-近红外分光光度计测量粉末状 TiO2 带隙
测量材料的带隙对半导体、纳米材料以及太阳能等行业均非常重要。此篇文章描述了如何从某一材料的紫外吸收光谱确定它的带隙。
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- 型号：LAMBDA 1050+
使用 NexION 300S / 350S ICP-MS 测定半导体行业常用有机溶剂中的杂质
本应用指南展示了NexION300SICP-MS抗干扰的能力，仅凭一次分析，便可在热等离子体条件下，轻松地测量IPA和PGMEA中的痕量杂质，且适用于所有分析物。是在一次分析中，可同时使用标准和反应两种模式。
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利用单颗粒ICP-MS 在反应模式下测定半导体有机溶剂中的含铁纳米颗粒
半导体产品中的金属污染使产品品质降低。半导体宽度越小，对金属污染物的容忍度越低。常见的金属污染是过渡金属元素和碱金属元素。过渡金属元素往往遍布半导体材料中并在表面形成多多种氧化物，其中铁是较常见的污染物。
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