单颗粒 ICP-MS 测定铁纳米颗粒：利用通用池技术消除质谱干扰
随着纳米颗粒兴趣的增加，各种测试方法正被应用。采用单颗粒模式电感耦合等离子体质谱法（SP-ICP-MS）分析ICP-MassSpectrometry金属纳米颗粒成为有前途的技术之一。
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单颗粒ICP-MS测定化学-机械整平中使用的元素氧化物纳米颗粒悬浮物的特性
本研究概述了定量和表征纳米元素氧化物纳米颗粒（氧化铝和氧化铈），这些常用于纳米电子学和半导体制造行业中化学-机械（CMP）半导体表面的平整。CMP是一个结合了化学和机械外力平滑平面的过程，此步骤为光刻作准备。
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紫外-可见-近红外分光光度计测量粉末状 TiO2 带隙
测量材料的带隙对半导体、纳米材料以及太阳能等行业均非常重要。此篇文章描述了如何从某一材料的紫外吸收光谱确定它的带隙。
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- 型号：LAMBDA 1050+
使用 LAMBDA 1050+紫外-可见-近红外分光光度计测量增强型镜面反射（ESR）膜
目前，增强型镜面反射膜已应用于几乎所有液晶显示器的背光源，具体包括电视机、台式电脑、笔记本电脑、平板电脑、手机和移动设备的显示器。增强型镜面反射膜也可用于管理和优化其他行业对光的应用，包括建筑照明、汽车照明、太阳能照明（如管道式日光照明装置）等。
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- 型号：LAMBDA 1050+
使用 NexION 300S / 350S ICP-MS 测定半导体行业常用有机溶剂中的杂质
本应用指南展示了NexION300SICP-MS抗干扰的能力，仅凭一次分析，便可在热等离子体条件下，轻松地测量IPA和PGMEA中的痕量杂质，且适用于所有分析物。是在一次分析中，可同时使用标准和反应两种模式。
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利用单颗粒ICP-MS 在反应模式下测定半导体有机溶剂中的含铁纳米颗粒
半导体产品中的金属污染使产品品质降低。半导体宽度越小，对金属污染物的容忍度越低。常见的金属污染是过渡金属元素和碱金属元素。过渡金属元素往往遍布半导体材料中并在表面形成多多种氧化物，其中铁是较常见的污染物。
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安泰电子功率放大器在针对测量传感器高精度校准方法中的应用
传统的测量精度校准的方法是对传感器单一频率下的刻度因子进行校准，校准方法通常选用同轴分流器串联于放电回路中，通过测量同轴分流器两端电压，对比传感器的测量输出来标定实际刻度因子，这种方法在一定程度上能够提高传感器的测量精度，但是也存在不少缺点：校准精度低、校准的刻度因子无法满足宽频带测量的要求、同轴分流器不易安装。
如何区分相对稳定和较不稳定的分散体?
分散体系类产品的配方与不稳定性相关，不稳定性指数已被证明是一种功能强大且易于使用的工具，可用于样品相分离和失稳的前期比较。同一类型的样品在相同条件下进行测试，这是快速进行产品分级以及质量控制的尚佳方法。
两款不同配方的金刚石CMP浆料的快速稳定性研究
本文利用LUM加速型稳定性/分散体分析仪对两款不同配方的金刚石CMP浆料进行快速稳定性研究。样品：编号DiamondCMP1，DiamondCMP2仪器和测试条件：仪器型号：LUMiFuge®稳定性分析仪（加速型，8通道）测试条件：2300g,20℃,2h
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- 型号：LUMi-Fuge
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